2025年6月8日至12日，超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits，简称VLSI）在日本京都举行。在本届VLSI上，北京大学集成电路共有12篇高水平学术论文入选，研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型感存算融合器件与GaN功率器件，以及电路设计与芯片研究等多个领域。按照论文第一单位统计，北京大学以12篇论文入选成为在本届VLSI上国内录用论文最多的高校，并在技术（technology）部分以8篇论文成为全球录用论文最多的高校。

在先进逻辑器件研究方面发表论文4篇，内容包括：1）倒装堆叠晶体管的高密度集成验证；2）面向亚1nm节点的倒装堆叠晶体管演进路线图；3）针对高能效计算的新型双面垂直晶体管技术；4）基于FinFET先进工艺的低温CMOS可靠性研究。

在新型感存算融合器件与GaN功率器件研究方面发表论文4篇，内容包括：1）高耐久高速度的三维堆叠NOR型铁电场效应晶体管阵列；2）面向点云神经网络的单片三维集成存内计算芯片；3）首个基于FDSOI的像素内计算图像传感器芯片，该论文被评选为亮点论文，并荣获最佳学生论文奖提名；4）3kV GaN高压集成电路技术该论文被选为演示论文在招待会议上进行现场演示。

在电路设计与芯片研究方面发表论文4篇，内容包括：1）基于随机相位调制解调的极低杂散全数字锁相环；2）面向AI处理器的分布式在线功耗管理技术；3）基于动态闭环放大器的流水线式SAR ADC芯片；4）可配置的癫痫预测和检测神经网络加速器，该论文被选为演示论文在招待会议上进行现场演示。

以上论文的相关研究工作得到了国家自然科学基金委创新群体、国家重点研发计划、国家杰出青年科学基金、国家高条理人才特殊支持计划、国家自然科学基金、高等学科创新引智计划等项目的资助，以及国家集成电路产教融合创新平台、微纳电子器件与集成技术全国重点实验室、微电子器件与电路教育部重点实验室、集成电路高精尖创新中心、集成电路科学与未来技术北京实验室等基地平台的支持。

集成电路学生汇报讲演工作和获奖情况

部分参会北大师生及校友合影

VLSI是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一，是展现IC技术最新成果的重要窗口。该会议在国际集成电路/半导体器件学术界以及工业界均享有很高的学术地位和广泛影响，会议文章不仅需要学术上的创新，更需要体现成果的财产价值和技术前沿性。每年英特尔（Intel）、IBM、三星（Samsung）、IMEC和台积电（TSMC）等国际知名半导体公司都在该会议上发布各自最新研究进展。